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        《情报工程》 2019年04期
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        第三代半导体器件专利分析

        李秾  金言  袁芳  郭丽君  
        【摘要】:以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料具有宽半导体带隙、高电子饱和漂移速度、高热导率、高击穿强度等特点,特别适合制造工作于高频率、高速度、高温的半导体器件和短波长光电器件,已成为国际半导体器研究与产业化的热点。基于科学计量的方法,本文从专利申请和授权的年度趋势、发明人所在地、专利申请地、专利分类体系分布以及专利权人的角度深入分析了第三代半导体器件专利的整体产出情况、重点技术领域以及研发机构情况,并对我国发展相关产业提出建议。研究表明,近30年来第三代半导体器件专利申请量高速增长,专利的来源地与受理地均为日本、美国、中国和韩国,中国大陆地区在该领域缺少龙头企业,相关研发以大学和科研院所为主,尚需培育市场需求。

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        【参考文献】
        中国期刊全文数据库 前3条
        1 吴菲菲;张亚茹;黄鲁成;苗红;;基于专利的氧化锌宽禁带半导体材料技术中外比较[J];情报杂志;2015年11期
        2 赵小宁;李秀清;;国外军事和宇航应用宽带隙半导体技术的发展[J];半导体技术;2009年07期
        3 马平;魏同波;段瑞飞;王军喜;李晋闽;曾一平;;蓝宝石衬底上HVPE-GaN厚膜生长[J];半导体学报;2007年06期
        中国博士学位论文全文数据库 前1条
        1 陈思哲;高压SiC JFET器件的设计、制备与应用研究[D];浙江大学;2016年
        【共引文献】
        中国期刊全文数据库 前10条
        1 付兴中;赵金霞;崔玉兴;付兴昌;;国外GaN功率器件衬底材料和外延技术研发现状[J];半导体技术;2015年12期
        2 王锋;李毅;丁杰;佟国香;覃源;严梦;梁倩;方宝英;王晓华;陈少娟;陈建坤;郑鸿柱;袁文瑞;;VO_2/FTO复合热致变色薄膜的制备及其光学特性[J];红外与毫米波学报;2014年02期
        3 潘继生;阎秋生;徐西鹏;童和平;祝江停;白振伟;;单晶SiC基片的集群磁流变平面抛光加工[J];中国机械工程;2013年18期
        4 吕曼;司晓琨;杨立军;;GaN微电子器件的研究进展[J];河北省科学院学报;2011年01期
        5 李晖;;HVPE反应器内输运现象的数值模拟研究[J];集美大学学报(自然科学版)(网络预览本);2010年05期
        6 李晖;;HVPE反应器内输运现象的数值模拟研究[J];集美大学学报(自然科学版);2010年05期
        7 赵丹;梁建;赵君芙;马淑芳;张华;许并社;;GaN薄膜制备技术的研究进展[J];材料导报;2010年S1期
        8 张克华;文东辉;袁巨龙;;高亮度LED衬底材料研究[J];功能材料;2009年05期
        9 徐永宽;程红娟;杨巍;于祥潞;赖占平;严如岳;;蓝宝石衬底上HVPE-GaN表面形貌研究[J];半导体技术;2008年11期
        10 林郭强;曾一平;段瑞飞;魏同波;马平;王军喜;刘喆;王晓亮;李晋闽;;HVPE气相外延法在c面蓝宝石上选区外延生长GaN及其表征[J];半导体学报;2008年03期
        【二级参考文献】
        中国期刊全文数据库 前10条
        1 庞德良;刘兆国;;基于专利分析的日本新能源汽车技术发展趋势研究[J];情报杂志;2014年05期
        2 黄鲁成;武丹;张静;陈明;吴菲菲;;基于专利的技术竞争态势分析框架——以智能材料技术为例[J];情报学报;2014年03期
        3 王莹;郑佳;黄晓莉;孔祥瑞;;基于专利分析的我国纳米发光材料及器件领域研究[J];科技管理研究;2014年05期
        4 于灏;蔡永香;卜雨洲;谢潜思;;第3代半导体产业发展概况[J];新材料产业;2014年03期
        5 王军喜;刘喆;魏同波;王国宏;;第3代半导体材料在光电器件方面的发展和应用[J];新材料产业;2014年03期
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        7 张杰;刘美佳;翟东升;黄鲁成;赵京;;全球RFID技术专利计量分析[J];情报杂志;2013年01期
        8 黄鲁成;王亢抗;吴菲菲;娄岩;苗红;;基于专利的北京新一代信息技术产业SWOT分析[J];中国科技论坛;2013年01期
        9 张秋;程子秦;周钦沅;;氮化镓微波功率器件研究动态(上)[J];信息技术与标准化;2012年04期
        10 马磊;宋建玮;;IPC分类法在科技查新工作中的应用[J];图书馆学刊;2012年03期
        【相似文献】
        中国期刊全文数据库 前10条
        1 赵跃民;谢文峰;;由专利分析评价看推进我国激光领域知识产权战略的重要性[J];科技创业月刊;2008年12期
        2 周婧博;;基于专利分析的极紫外光刻现状研究[J];科技和产业;2017年11期
        3 宁忠兰;;OLED显示驱动技术专利分析[J];工业技术创新;2016年03期
        4 陈峰;;有机电致发光器件(OLED)的技术综述[J];山东工业技术;2015年16期
        5 郭琴;;基于专利分析的红外热成像技术创新态势研究[J];智库时代;2017年17期
        6 黄芳芳;;投资掀热潮! 第三代半导体是何方神圣?[J];经济;2017年21期
        7 卜文娟;;第三代半导体:2018年是产业化准备的关键期[J];中国战略新兴产业;2018年05期
        8 ;我国拟打造第三代半导体研发及产业化创新平台[J];半导体信息;2016年05期
        9 孟雨;;应科院参与编撰发展“路线图” 推动中国第三代半导体发展[J];计算机与网络;2018年17期
        10 ;第三代半导体或将引发又一次照明革命"[J];覆铜板资讯;2014年01期
        中国重要会议论文全文数据库 前2条
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        2 徐禄平;;第三代半导体发展报告[A];TFC'19第十五届全国薄膜技术学术研讨会摘要集[C];2019年
        中国重要报纸全文数据库 前10条
        1 本报记者 崔小粟;第三代半导体产业化在即[N];中国证券报;2017年
        2 本报记者 诸玲珍;第三代半导体悄然升温[N];中国电子报;2019年
        3 本报记者 刘园园;发展第三代半导体,别让基础研究成“绊脚石”[N];科技日报;2018年
        4 本报记者 杨圣沛;莞企成第三代半导体产业化先行者[N];东莞日报;2019年
        5 本报记者 吴君宁;让厦门跻身第三代半导体产业第一方阵[N];厦门日报;2019年
        6 林火灿;我国第三代半导体材料创新发展正当时[N];中国高新技术产业导报;2017年
        7 强天林 宋明琦;第三代半导体材料发展步入快车道[N];解放军报;2018年
        8 ;龙华积极发展第三代半导体对接国家任务[N];深圳特区报;2018年
        9 长沙晚报记者 李广军 颜开云 通讯员 宁琼雅;第三代半导体产业“独角兽”落子浏阳[N];长沙晚报;2018年
        10 本报记者 梁文艳;第三代半导体快速发展 市场份额占据半壁江山[N];中国产经新闻;2017年
        中国硕士学位论文全文数据库 前3条
        1 杨映雪;基于专利分析的智能手机企业技术创新研究[D];南京邮电大学;2018年
        2 王福兴;基于专利分析的我国汽车电子技术进化研究[D];武汉理工大学;2011年
        3 谢明晖;基于专利申请分析手机技术的发展[D];中国地质大学(北京);2013年
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