收藏本站
        《中国陶瓷》 2020年04期
        收藏 | 投稿 | 手机打开
        二维码
        手机客户端打开本文

        n型氧化亚铜薄膜的制备及其光电化学特性

        赵1  文圆1  邹苑庄3  文思逸2  胡飞2(1.中国轻工业陶瓷研究所  景德镇333000  2.景德镇陶瓷大学  景德镇333403  3.景德镇陶瓷集团  景德镇333000)  
        【摘要】:采用三电极系统在硫酸铜-乳酸体系中电化学沉积法制备Cu2O薄膜,控制电沉积溶液的温度和pH得到n型Cu2O薄膜,并通过光电流(I-t)测试、莫特-肖特基(M-s)曲线测试薄膜的光电性能。结果表明当pH值为8.5~10时,成功地制备出了n型Cu2O薄膜,且当电解液的pH值为8.5,温度为60℃时,n型Cu2O薄膜光电性能最佳。对Cu2O薄膜进行退火处理,有助于改善氧化亚铜薄膜的光电性能。在此基础上,我们对n型Cu2O薄膜进行不同离子掺杂。离子的掺杂能继续提高Cu2O薄膜的光电性能。其中当Cl-为40 mM条件下,Cu2O薄膜的光电化学性能最佳。

        中国知网广告投放
         快捷付款方式  订购知网充值卡  订购热线  帮助中心
        • 400-819-9993
        • 010-62791813
        • 010-62985026


              天天中快三